三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
场效应管（MOS管）：是场效应管的一种，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
二者具有以下区别：
1、从结构来讲，MOS管有一个金属栅极、一个绝缘层和一个半导体底座，而三极管有一个集电极、一个基极和一个发射极。MOS管是一个四极器件，而三极管是一个三极器件；
2、从控制方式来讲，MOS管通过在栅极和底座之间施加电场来控制电流， 而三极管则是通过在基极和发射极之间施加电流来控制电流；
3、从输入电阻来讲，MOS管的输入电阻很高， 通常在数兆欧姆到数百兆欧姆之间，而三极管的输入电阻相对较低，通常在几千欧姆到几十万欧姆之间；
4、从输入电容来讲，MOS管的输出电容较小，通常在几皮法到几纳法之间，而三极管的输出电容较大，通常在几十皮法到几百皮法之间；
5、从开关速度来讲，MOS管具有更快的开关速度和更小的开关损耗， 这使它们在高频应用中更为常见。三极管的开关速度较慢，但在低频和功率应用中具有优势；
6、从噪声来讲，MOS管的噪声水平通常比三极管低；
7、从电压容忍度来讲，电压容忍度: MOS管的电压容忍度比三极管高；
8、从可靠性来讲，可靠性: MOS管在高温环境下具有较好的稳定性，而三极管则在高温环境下容易损坏。
在功率放大器电路中应用的三极管和场效应管（MOS管）因为其制造工艺不同，相同制造价格下，其击DS极击穿电压普遍比三极管高，所以现在的功率放大器开关电源大部分都使用场效应管做开关管。还有一类开关特性更好的器件IGBT，它结合了三极管和场效应管的优点，使用在更高的功率和更高的电压下，比如电磁炉。
