1. 确定电压和电流参数
选择整流桥的首要任务是确定电路的工作电压和电流。整流桥的反向耐压（Reverse Voltage，VR）应高于电路中实际出现的最大反向电压，通常应选择比实际电压高出20%-30%的安全裕度。例如，若实际电压为100V，可选择反向耐压为150V的整流桥。
电流方面，整流桥的最大正向电流（Forward Current，IF）应大于电路中最大负载电流的1.5倍至2倍，以保证其在工作中不过载。此外，还需关注峰值浪涌电流（Peak Surge Current，IFSM）的承受能力，尤其在应用于大电流或启动电流较大的电路时更为重要。
2. 温度特性和散热设计
温度对整流桥的性能有直接影响。整流桥的工作温度范围一般在-40°C至+150°C之间。在实际应用中，应考虑整流桥在高温环境下的降额使用，以延长其使用寿命。散热设计也是选择整流桥时需考虑的重要因素。对于高功率应用，应选择带有散热片或需外接散热器的整流桥，并确保有足够的空气流动或通过加装散热器来降低温度。
3. 封装形式的选择
整流桥有多种封装形式，如DIP、SMD、TO-220、GBJ等。选择封装形式时，应根据电路板的空间布局和功率密度需求来决定。对于空间受限的电路板，可选择SMD封装的整流桥，但需注意其散热问题。对于大功率应用，TO-220封装因其优良的散热性和安装便利性，常被广泛使用。
4. 耐压和击穿电压
整流桥的耐压值应略高于电路中可能出现的最高电压，以避免因电压过高导致整流桥击穿。此外，击穿电压（Breakdown Voltage）应有足够的裕量，尤其是在电压波动较大的电路中，应选择击穿电压更高的整流桥，以确保系统的稳定性。
5. 正向压降与效率
正向压降（Forward Voltage Drop，VF）是整流桥在正向导通时的电压损耗。较低的正向压降意味着较少的能量损耗和更高的电路效率。在一些对能效要求较高的应用中，应选择正向压降较低的整流桥，如肖特基二极管整流桥，其正向压降通常较普通硅二极管整流桥低。
6. 其他特性与应用场景
根据应用场景的不同，还需关注整流桥的其他特性，如反向恢复时间（Reverse Recovery Time，trr）和电磁干扰（EMI）。反向恢复时间越短，整流桥在高频应用中的表现越好；而在对EMI要求较高的应用中，应选择具有良好抑制特性的整流桥。
MDD整流桥的选型是一个综合考虑电压、电流、温度、封装、效率等多个因素的过程。在实际应用中，根据具体的电路需求，合理选择整流桥的型号和参数，可以有效提升电路的可靠性和工作效率。
